利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案
IGBT是什么
IGBT是一個超級電子開關(guān)，它能耐受超高電壓。
我們家中插座里的市電交流電電壓是220V，而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓最高可達6500V。我們一般家庭里家用電器全部開啟最大電流也不會超過30A，而一顆指甲蓋大小的IGBT芯片就能流過約200A的電流!
下圖是安裝在基板上的4個IGBT芯片 和4個二極管芯片。
但是，像這樣裸露的芯片是不能直接用的。我們需要把芯片再封裝到一個外殼里面，外殼中再填充絕緣的材料，把芯片的電極引到外端子上，就形成了能夠使用的IGBT產(chǎn)品。
有的外殼里只有一顆IGBT芯片，有的可能會十幾顆，二十幾顆芯片。于是，就形成了各種各樣的IGBT單管 和模塊。單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右，IGBT模塊的最大額定電流可以達到3600A！
路圖中的IGBT我們一般用下圖來表示，G表示門極gate ，它用來接收指令。C表示集電極collector，E表示發(fā)射極emitter，集電極和發(fā)射極用來導(dǎo)通電流。平時IGBT是截止的，一旦門極接收到一個開通指令，電流就會源源不斷地從集電極到發(fā)射極之間流過。就好比你家里墻上的開關(guān)，按一下，開關(guān)閉合，電燈亮起；再按一下，電燈熄滅。
當然，操作IGBT，不再是手，而是電子脈沖。
高電平來臨時，器件開通；低電平來臨時，器件就關(guān)斷。
手動操作開關(guān)，可能一秒鐘一兩次，而我們的電子開關(guān)，一秒鐘可以開關(guān)上萬次，幾十萬次！這就是我們需要電子開關(guān)，也就是功率器件的原因。
IGBT
用于新能源汽車：IGBT用于電機驅(qū)動系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和精確的電機控制，從而提高車輛的加速性能和能效。。
軌道交通：IGBT用于牽引傳動系統(tǒng)和供電系統(tǒng)，確保列車的安全、穩(wěn)定運行。
風(fēng)力發(fā)電和太陽能：IGBT用于風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠?qū)L(fēng)能或太陽能轉(zhuǎn)換為電能，并輸送到電網(wǎng)中。
在涉及某一可再生能源項目，具體為風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，當前階段的核心任務(wù)需對電機驅(qū)動模塊中內(nèi)置的IGBT組件進行C-V特性分析。
測試要求
1、測試電壓：1300V
2、要求測試電機驅(qū)動模塊內(nèi)部IGBT MOS管CV特性，確保其能滿足風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)對于高效能量轉(zhuǎn)換與精確控制的需求。
解決方案
根據(jù)上述測試要求，推薦TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀。
在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，IGBT組件作為電機驅(qū)動模塊中的核心部件，其性能直接關(guān)系到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
C-V特性曲線是評估半導(dǎo)體材料和器件性能的重要方式。通過對IGBT組件進行C-V特性分析，可以深入了解其寄生電容、損耗等關(guān)鍵參數(shù)，進而優(yōu)化電機驅(qū)動模塊的設(shè)計，提高風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體性能。
TH510系列是同惠根據(jù)當前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢，針對半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計的分析儀器。測試頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達±40V，VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數(shù)功率器件測試。具體型號如下：
簡要參數(shù) | TH511 | TH512 | TH513 |
通道 | 2（可擴展至6） | 2（可擴展至6） | 1 |
測試頻率 | 1kHz-2MHz | ||
測試參數(shù) | Ciss、Coss、Crss、Rg | ||
VGS范圍 | 0 - ±40V | ||
VDS范圍 | 0 - ±200V | 0 - ±1500V | 0-±3000V |
一、高壓適應(yīng)性
在風(fēng)力發(fā)電的初期階段，尤其是在海上風(fēng)電領(lǐng)域，由于環(huán)境的特殊性，往往伴隨著極高的電壓挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)設(shè)備受限于1200V的電壓輸出能力，難以完全滿足這些極端條件下的測試需求。然而，隨著技術(shù)的不斷進步，TH513應(yīng)運而生，它成功突破了這一傳統(tǒng)限制，可覆蓋至3000V的高壓器件范圍，從而完美適配海上風(fēng)電等嚴苛且多變的場景，為可再生能源的可靠利用開辟了全新的道路。
二、漏源高壓擊穿保護技術(shù)
在測試功率器件電容時，漏極D通常會加上高壓，特別是第三代功率半導(dǎo)體器件，電壓甚至可高達1000V-3000V，當漏源瞬間擊穿時，常會導(dǎo)致電容器瞬間短路放電，在漏源電壓1500V時，放電電流可高達780A，如此大的瞬間電流，會反沖至儀器內(nèi)部電路，并導(dǎo)致?lián)p壞。
同惠高壓擊穿保護技術(shù)，解決了此隱患，避免經(jīng)常由于高壓沖擊損壞儀器，降低了維修成本的同時提高了自動化測試的效率。
三、自動化集成
TH513兼容 HANDLER 接口與 SCPI 等協(xié)議，該設(shè)備能夠無縫對接各類產(chǎn)線與先進的智能測試系統(tǒng)，實現(xiàn)了測試流程的高度自動化與集成化，從而顯著提升生產(chǎn)效率，確保產(chǎn)品質(zhì)量的同時，縮短了測試周期，為制造流程帶來了更高效、更靈活的解決方案。
四、曲線掃描功能（選件）
在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個非常重要的指標，如下圖：
TH510系列支持C-V特性曲線分析，可以以對數(shù)、線性兩種方式實現(xiàn)曲線掃描，可同時顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。
五、TH513-1測試夾具
TH513-1 是專用于TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀的測試夾具之一，專為實驗室高精度測試設(shè)計。內(nèi)置Interlock安全聯(lián)鎖模塊，符合安全標準。配合TH513-1A、TH513-247-4L（選配）治具工裝可以測試TO-220、TO-247、RO-247-4L等封裝類型的直插功率器件。另外TH513-1還配備3根測試夾，可以測試模組、非標準封裝的器件。
使用 TH51X 系列半導(dǎo)體 C-V 特性分析儀測試 IGBT 的 C-V 特性步驟
一、測試前準備
1. 開箱檢查與環(huán)境確認
檢查儀器外觀無運輸損壞，依據(jù)裝箱單核對配件（主機、測試夾具、電源線等）。
確認使用環(huán)境符合要求：溫度 0℃~40℃，相對濕度≤75%，無粉塵、震動、腐蝕氣體，避免強電磁場干擾。
1. 電源連接與開機預(yù)熱
確認供電電壓（100~120Vac 或 198~242Vac）與儀器后面板電源設(shè)置一致，供電頻率 47~63Hz，功率≥130VA。
連接三線電源，確保地線可靠接地。打開前面板電源開關(guān)（待機狀態(tài)為紅色，開機后為綠色），開機預(yù)熱≥30 分鐘（建議預(yù)熱 60 分鐘以保證精度）。
2. 測試夾具連接
使用原配測試夾具（TH513-1），連接至儀器后面板對應(yīng)測試端（開爾文四端：Gcur、Gpot、Dcur、Dpot 等）。
清潔夾具及 IGBT 引腳，確保接觸良好。若被測件有屏蔽外殼，將屏蔽層與儀器地 “┴” 相連。
二、儀器基礎(chǔ)設(shè)置
1. 系統(tǒng)初始化
按前面板【Preset】鍵恢復(fù)出廠默認設(shè)置，按【Home】鍵進入主菜單頁面。
按【System】鍵進入系統(tǒng)設(shè)置，確認總線模式（默認自動）、系統(tǒng)語言（中文 / 英文）、時間日期等基礎(chǔ)配置。
3. 用戶校正
按前面板【Cal】鍵進入校正菜單，執(zhí)行 “開路清零” 和 “短路清零”：連接開路 / 短路校準件，觸摸對應(yīng)選項完成操作。
夾具校準（如需）：進入 <夾具校準> 頁面，設(shè)置線纜長度（0m 或 2m）、頻率（如 1MHz）、功能（如 Rg-DSS），依次完成開路測試、短路測試及標準件校準。
三、CV 測量參數(shù)配置
1. 進入測量頁面
從主菜單觸屏 <CV 測量> 進入測量頁面，或按【Display】鍵切換至測量顯示頁面。
4. 通道選擇
根據(jù)儀器型號選擇通道：TH511/TH512 默認 2 通道，TH513 僅 1 通道，觸摸對應(yīng)通道標識切換。
5. 功能參數(shù)設(shè)置
觸摸測試結(jié)果區(qū)域的參數(shù)名，在右側(cè)菜單選擇需測量的 IGBT 參數(shù)：
Ciss（輸入電容）：柵極 - 源極間電容，漏源短接狀態(tài)。
Coss（輸出電容）：漏極 - 源極間電容，柵源短接狀態(tài)。
Crss（反向傳輸電容）：漏極 - 柵極間電容，源極接地狀態(tài)。
6. 測試條件配置
頻率：觸摸頻率設(shè)置框，輸入測試頻率（推薦 10kHz~1MHz，根據(jù) IGBT datasheet 選擇，如 1MHz）。
電平：設(shè)置交流信號電平（5mV~1Vrms，默認 30mVrms）。
Vg 偏置電壓：設(shè)置柵極驅(qū)動電壓（如 0V，根據(jù)測試需求調(diào)整，范圍 - 40V~+40V）。
Vd 偏置電壓：設(shè)置漏極電壓（根據(jù) IGBT 耐壓選擇，TH513 最大 ±3000V，如 25V）。
延時：設(shè)置偏壓穩(wěn)定時間（0~60s，默認自動，建議≥10ms）。
速度：在 <CV 測量設(shè)置> 頁面選擇測試速度（推薦 “中速” 以平衡精度與速度）。
平均次數(shù)：設(shè)置測量平均次數(shù)（1~32，默認 1，可增加次數(shù)提高穩(wěn)定性）。
四、測試執(zhí)行
1. 觸發(fā)測試
確認觸發(fā)模式：在 <CV 測量設(shè)置> 頁面設(shè)置為 “單次”（手動觸發(fā)）或 “連續(xù)”（自動重復(fù)測量）。
手動觸發(fā)：按前面板【Trigger】鍵啟動測試；外部觸發(fā)：通過后面板 TRIGGER 接口連接腳踏開關(guān)或外部信號。
7. 結(jié)果查看
測量結(jié)果實時顯示在屏幕上，包括 Ciss、Coss、Crss 的數(shù)值（單位：pF/nF）。
觸摸結(jié)果區(qū)域可調(diào)整小數(shù)位數(shù)，觀察數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。
8. 曲線掃描（可選）
進入 <CV 曲線> 頁面，選擇模型（如 “Ciss+Coss+Crss-Vd”），設(shè)置 Vd 掃描范圍（如 1V~200V）、點數(shù)（如 201 點）及掃描步長。
按【Trigger】鍵開始掃描，曲線實時顯示電容隨電壓的變化趨勢，觸屏可查看具體數(shù)據(jù)點。
五、數(shù)據(jù)保存與分析
1. 結(jié)果保存
插入 U 盤至前面板 USB HOST 接口，觸摸 <CV 測量> 頁面 “保存” 菜單，測試結(jié)果以 CSV 格式保存至 “usb/CSV/” 路徑，文件命名規(guī)則：cvm - 序列號 - 日期.csv。
按【PrtScn】鍵可保存當前屏幕截圖（.png 格式）。
9. 數(shù)據(jù)格式
保存數(shù)據(jù)包含：測試時間、參數(shù)名稱（Ciss/Coss/Crss）、測量值、分選結(jié)果、通斷測試結(jié)果、接觸檢查結(jié)果。
注意事項
1. 安全防護：測試高壓（如 TH513 的 3kV）時，確保測試夾具絕緣良好，避免接觸金屬部分。
2. 精度保障：測試前必須完成預(yù)熱、開路 / 短路清零及夾具校準，線纜長度需準確設(shè)置（0m 或 2m）。
3. 參數(shù)匹配：頻率、偏置電壓等設(shè)置需參考 IGBT datasheet 的測試條件，確保結(jié)果可比性。
4. 異常處理：若提示 “接觸檢查不合格”，檢查夾具連接；“通斷測試失敗” 則需排查 IGBT 器件是否損壞。
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