日置IM3536LCR測(cè)試儀在半導(dǎo)體器件測(cè)試中的解決方案
半導(dǎo)體在我們熟悉的集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、汽車電子、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，而日置HIOKI的測(cè)試儀器如功率分析儀、存儲(chǔ)記錄儀、數(shù)據(jù)采集儀、電池測(cè)試儀、LCR測(cè)試儀、阻抗測(cè)試儀等也在這些領(lǐng)域擔(dān)任著重要的測(cè)試任務(wù)。
日置HIOKI在半導(dǎo)體C-V測(cè)試上應(yīng)用
那么日本日置產(chǎn)品在半導(dǎo)體元器件(或集成電路)測(cè)試中的應(yīng)用有哪些呢?以晶圓級(jí)MOSFET為例，晶圓電容-電壓(C-V)特性曲線測(cè)試是半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試中的比較關(guān)注的一部分，CV頻率范圍根據(jù)不同的器件有1Hz-100Hz、10Hz-10KHz、10KHz-1MHz或者更高頻段，通過(guò)上位機(jī)軟件在固定頻段下以0.1V或者0.5V的步進(jìn)掃描電壓測(cè)試C值，電壓范圍有-5V~+5V、-10V~+10V、-20V~+20V、-30V~+30V、-40V~+40V或者更高。(支持第三方軟件控制)
通過(guò)C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，如：BJT晶體管，二極管與PN結(jié)，III-V族化合物，二維材料，金屬材料，光子檢測(cè)器件，鈣鈦礦與太陽(yáng)能電池，LED與薄膜晶體管，非易失性存儲(chǔ)器與材料，MEMS與傳感器，分子與納米器件，半導(dǎo)體器件特性分析與建模，器件噪聲特性分析以及檢測(cè)工藝參數(shù)和失效分析機(jī)制等。
擴(kuò)展應(yīng)用
半導(dǎo)參數(shù)測(cè)試中除了CV電容電壓特性曲線測(cè)試，還有IV電流電壓特性曲線測(cè)試，可以將LCR測(cè)試儀IM3536搭配皮安表SM7110以及其他測(cè)試儀器進(jìn)行系統(tǒng)集成。
日本日置在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)品介紹
低頻阻抗分析儀IM3590
用于測(cè)試器件、材料等
針對(duì)DC以及1mHz~200kHz范圍內(nèi)的頻率帶寬可設(shè)置5位的分辨率(100Hz不到是1mHz分辨率)。能夠進(jìn)行共振頻率的測(cè)量和在接近工作條件的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)量、評(píng)估。
測(cè)量頻率1kHz，測(cè)量速度FAST時(shí)，可達(dá)zui快2ms。有助于掃頻高速化。
Z的基本精度是±0.05%。從零部件檢查到研究開(kāi)發(fā)的測(cè)量，都能達(dá)到推薦精度。
LCR測(cè)試儀IM3536
直流偏置電壓高達(dá)±500V
測(cè)量頻率DC，4Hz~8MHz
測(cè)量時(shí)間：zui快1ms
基本精度：±0.05%rdg.
mΩ以上的精度保證范圍，也可安心進(jìn)行低阻測(cè)量
可內(nèi)部發(fā)生DC偏壓測(cè)量
從研發(fā)到生產(chǎn)線活躍在各種領(lǐng)域中
高頻阻抗分析儀IM7587
可穩(wěn)定測(cè)量高達(dá)3GHz的阻抗
測(cè)試電壓測(cè)量頻率：1MHz~3GHz
測(cè)量時(shí)間：zui快0.5ms(模擬測(cè)量時(shí)間)
測(cè)量值偏差：0.07%(用3GHz測(cè)量線圈1nH時(shí))
基本精度：±0.65%rdg.
緊湊主機(jī)僅機(jī)架一半大小，測(cè)試頭尺寸僅手掌大小
豐富的接觸檢查(DCR測(cè)量、Hi-Z篩選、波形判定)
分析模式下可以邊掃描測(cè)量頻率、測(cè)量信號(hào)電平邊進(jìn)行測(cè)量
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